--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 4300mΩ@VGS=10V
- ID 2A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### K375L-VB 产品简介
K375L-VB 是一款高压 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为中等电流和高电压应用设计。该器件的最大漏极-源极电压 (VDS) 可达到 650V,使其非常适合需要高电压控制的电路。由于其 Plannar 结构设计,K375L-VB 提供可靠的导通电阻 (RDS(ON)),并在各类电气设备中表现出良好的热稳定性和工作效率,适合于高压应用场景。
### 详细参数说明
- **型号**: K375L-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单个 N 通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3440mΩ (VGS = 4.5V)
- 4300mΩ (VGS = 10V)
- **最大漏极电流 (ID)**: 2A
- **技术**: Plannar
### 应用领域和模块示例
K375L-VB MOSFET 适用于多种高压应用,以下是一些具体的应用领域和模块示例:
1. **高压电源转换器**:该 MOSFET 适合用于高压电源转换器(如 AC-DC 和 DC-DC 转换器),能够高效地将高电压转换为所需的低电压输出,广泛应用于工业电源和实验室电源设备中。
2. **电动汽车充电站**:在电动汽车充电基础设施中,K375L-VB 可作为充电模块中的开关元件,处理充电时产生的高压,保证充电过程的安全与高效。
3. **医疗设备**:医疗设备中的电源管理系统可以利用 K375L-VB 来实现高电压的控制,特别是在影像设备和监测仪器中,它能够确保设备在高压条件下稳定运行。
4. **LED 照明驱动电源**:在高压 LED 照明系统中,该 MOSFET 可用于驱动电源,控制灯具的工作电流,确保亮度稳定和能效提升。
这些应用展示了 K375L-VB 在高压领域中的多功能性和可靠性,能够满足现代电气设备对高压和高效能的需求。
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