--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 40V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
- ID 85A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### K3716-Z-E1-AZ-VB 产品简介
K3716-Z-E1-AZ-VB是一款40V、N沟道MOSFET,采用TO252封装,适用于高电流应用,ID高达85A。该器件基于Trench技术,具有较低的导通电阻,能够提供高效的开关性能,广泛适用于多种功率转换和管理系统。
### 详细参数说明
- **封装类型**:TO252
- **配置**:Single-N-Channel
- **VDS(漏源极电压)**:40V
- **VGS(栅源极电压)**:±20V
- **Vth(阈值电压)**:2.5V
- **RDS(ON)(导通电阻)**:
- 6mΩ @ VGS=4.5V
- 5mΩ @ VGS=10V
- **ID(漏极电流)**:85A
- **技术**:Trench
### 应用领域与模块示例
K3716-Z-E1-AZ-VB在电源管理、汽车电子以及电机驱动领域中表现出色。
1. **DC-DC变换器**:该器件适用于高效的降压转换器,由于其低RDS(ON),能降低功耗,提高转换效率。
2. **电机驱动系统**:在需要高电流的电机控制应用中,该MOSFET能够提供稳定的电流和快速响应。
3. **电池管理系统(BMS)**:在电池保护和电量监控模块中,K3716-Z-E1-AZ-VB提供可靠的电流切换能力。
4. **负载开关**:适用于汽车或工业系统中的负载控制器件,能够有效处理较高的工作电流。
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