### K3669-VB 产品简介
K3669-VB是一款高性能单N通道MOSFET，采用TO252封装，专为电源管理和开关应用设计。其最大漏源电压（VDS）为100V，适用于中等电压应用。该MOSFET的阈值电压（Vth）为1.8V，使其在较低栅源电压下实现快速开关。导通电阻（RDS(ON)）为114mΩ（@VGS=10V），提供良好的电流传导能力，最大漏电流为15A，适合高效能电路。
### K3669-VB 详细参数说明
- **封装**：TO252
- **配置**：单N通道
- **最大漏源电压 (VDS)**：100V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：114mΩ（@ VGS = 10V）
- **最大漏电流 (ID)**：15A
- **技术**：Trench技术
### 应用领域和模块示例
1. **电源转换器**：K3669-VB适用于DC-DC转换器和电源适配器，通过有效控制开关状态，提升转换效率，适合消费电子和工业设备。
2. **电机驱动**：在电机控制应用中，该MOSFET可作为高效开关元件，广泛应用于电动工具、家用电器及自动化系统，确保高性能的电机驱动。
3. **LED驱动电路**：该MOSFET在LED驱动中可以提供稳定的电流输出，适合各种照明应用，包括商业和家庭照明解决方案。
4. **电池管理系统**：K3669-VB可用于电池充电和管理，帮助优化充放电过程，适合电动汽车和可再生能源系统。
5. **消费电子产品**：其低导通电阻和高电流承载能力使其成为智能手机、平板电脑等消费电子设备中的理想选择，确保高效稳定的电源管理。
K3669-VB凭借其出色的性能和广泛的适用性，成为现代电子设计中的重要组成部分。
