### K3634-Z-E1-AZ-VB 产品简介
K3634-Z-E1-AZ-VB 是一款高效 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，设计用于承受高达 200V 的电压。该器件的阈值电压为 3V，适合各种电源管理和开关应用。在 VGS = 10V 时，导通电阻 (RDS(ON)) 为 245mΩ，最大漏电流 (ID) 可达到 10A，表现出色的性能和稳定性。
### K3634-Z-E1-AZ-VB 详细参数说明
- **型号**：K3634-Z-E1-AZ-VB
- **封装**：TO252
- **配置**：单 N 沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**：200V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：245mΩ（在 VGS = 10V 时）
- **最大漏电流 (ID)**：10A
- **技术**：沟槽技术（Trench）
### 应用领域和模块
K3634-Z-E1-AZ-VB 在多个领域和模块中具有广泛的应用，具体包括：
1. **开关电源**：因其高电压和低导通电阻，该 MOSFET 适用于开关电源（SMPS），提供高效的电源转换与控制。
2. **DC-DC 转换器**：在 DC-DC 转换器中，该器件能稳定输出电压，适用于便携式设备和工业电源。
3. **电动汽车充电**：适合于电动汽车的充电系统，能够高效控制电流，支持快速充电。
4. **电机驱动**：在工业自动化和电动机控制中，K3634-Z-E1-AZ-VB 能够高效驱动和控制电机，实现精确的性能。
5. **LED 驱动应用**：在 LED 照明驱动电路中，能够确保对 LED 的精确电流控制，提高光效和使用寿命。
通过这些应用，K3634-Z-E1-AZ-VB 显示了其在高电压和电源管理领域的重要作用。
