--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
- ID 15A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### K3617-TL-E-VB 产品简介
K3617-TL-E-VB 是一款高效单极 N 型 MOSFET,采用 TO252 封装,专为100V的应用设计。该器件具备适中的导通电阻和优良的热管理性能,适合用于中等电流的电源管理和控制应用。
### 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单极 N 型
- **最大漏极源电压 (VDS)**: 100V
- **栅极源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 15A
- **技术**: Trench
### 应用领域与模块
K3617-TL-E-VB 广泛应用于多个领域,包括:
1. **电源管理**: 在开关电源和直流-直流转换器中,提供高效的电力转换,降低能量损耗。
2. **电动汽车**: 用于电池管理系统,确保稳定的电流流动,提高系统的安全性和可靠性。
3. **工业自动化**: 在电机控制和自动化设备中,提供稳定的电流调节,优化设备的整体性能和耐用性。
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