--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 40V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
- ID 85A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
K35S04K3L-VB 是一款高效能单 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为低电压高电流应用设计。其最大漏源电压为 40V,能够承载高达 85A 的电流,非常适合在要求高效率和快速开关的电源管理系统中使用。
### 详细参数说明
- **型号**: K35S04K3L-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单 N 通道
- **VDS**: 40V
- **VGS**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **RDS(ON)**: 6mΩ (VGS=4.5V)
- **RDS(ON)**: 5mΩ (VGS=10V)
- **ID**: 85A
- **技术**: Trench
### 适用领域和模块
K35S04K3L-VB 广泛应用于电源转换器、开关电源及电动机控制等领域。由于其极低的导通电阻,该 MOSFET 特别适合用于高效率的 DC-DC 转换器和 LED 驱动应用,提供稳定的性能和极高的能量效率。此外,它在电动车辆和可再生能源系统中也被广泛应用,确保可靠的电力管理和控制。
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