企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

K35S04K3L-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K35S04K3L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 85A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介
K35S04K3L-VB 是一款高效能单 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为低电压高电流应用设计。其最大漏源电压为 40V,能够承载高达 85A 的电流,非常适合在要求高效率和快速开关的电源管理系统中使用。

### 详细参数说明
- **型号**: K35S04K3L-VB  
- **封装**: TO252  
- **配置**: 单 N 通道  
- **VDS**: 40V  
- **VGS**: ±20V  
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V  
- **RDS(ON)**: 6mΩ (VGS=4.5V)  
- **RDS(ON)**: 5mΩ (VGS=10V)  
- **ID**: 85A  
- **技术**: Trench  

### 适用领域和模块
K35S04K3L-VB 广泛应用于电源转换器、开关电源及电动机控制等领域。由于其极低的导通电阻,该 MOSFET 特别适合用于高效率的 DC-DC 转换器和 LED 驱动应用,提供稳定的性能和极高的能量效率。此外,它在电动车辆和可再生能源系统中也被广泛应用,确保可靠的电力管理和控制。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    124浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    105浏览量