--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
- ID 70A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### K3507-ZK-VB 产品简介
K3507-ZK-VB是一款高效的单N通道MOSFET,采用TO252封装,专为低电压和高电流应用设计。其最大漏源电压(VDS)为30V,适用于各种电源管理和开关应用。K3507-ZK-VB的阈值电压(Vth)为1.7V,确保在较低的栅源电压下可靠运行。该器件的导通电阻(RDS(ON))为9mΩ(@VGS=4.5V)和7mΩ(@VGS=10V),最大承载电流可达70A,提供卓越的电气性能。
### K3507-ZK-VB 详细参数说明
- **封装**:TO252
- **配置**:单N通道
- **最大漏源电压 (VDS)**:30V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ(@ VGS = 4.5V)
- 7mΩ(@ VGS = 10V)
- **最大漏电流 (ID)**:70A
- **技术**:Trench技术
### 应用领域和模块示例
1. **开关电源**:K3507-ZK-VB适用于开关电源(SMPS),因其低导通电阻和高电流能力,有助于提高系统的能效,降低热损耗。
2. **电动机驱动**:在电动机控制系统中,该MOSFET可作为H桥电路中的开关,控制电机的启停和速度,广泛应用于家电和工业设备。
3. **LED照明驱动**:K3507-ZK-VB能够在高功率LED驱动应用中提供稳定的电流,确保LED的亮度一致,适合商业和工业照明。
4. **电池管理系统**:在电池管理系统中,该MOSFET有效控制充放电过程,提升电池性能,确保安全使用。
5. **DC-DC转换器**:K3507-ZK-VB可用于DC-DC转换器,帮助实现高效的电源转换,适合便携式电子设备和电源适配器。
凭借其优越的电气性能和广泛的应用范围,K3507-ZK-VB成为现代电子设计中的重要选择。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12