企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

K3483-Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K3483-Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 30mΩ@VGS=10V
  • ID 40A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### K3483-Z-VB 产品简介

K3483-Z-VB是一款高效的单N通道MOSFET,采用TO252封装,专为中等电压和高电流应用设计。其最大漏源电压(VDS)为100V,适合多种电源管理和转换系统。K3483-Z-VB的阈值电压(Vth)为1.8V,能够在较低的栅源电压下实现稳定的开关性能。该器件的导通电阻(RDS(ON)为35mΩ(@VGS=4.5V)和30mΩ(@VGS=10V),最大承载电流可达40A,确保在高频开关操作中提供出色的性能。

### K3483-Z-VB 详细参数说明

- **封装**:TO252
- **配置**:单N通道
- **最大漏源电压 (VDS)**:100V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 35mΩ(@ VGS = 4.5V)
 - 30mΩ(@ VGS = 10V)
- **最大漏电流 (ID)**:40A
- **技术**:Trench技术

### 应用领域和模块示例

1. **开关电源**:K3483-Z-VB非常适合用于开关电源(SMPS),其低导通电阻和适中的电流能力使其在能效和热管理方面表现优越。

2. **电动机驱动**:在电动机控制系统中,该MOSFET可用于H桥电路,控制电机的启动、停止和速度,适合多种工业和家用电器。

3. **电池管理系统**:K3483-Z-VB能够在电池管理系统中有效控制充放电过程,确保电池安全使用,提升电池的性能和寿命。

4. **LED照明驱动**:作为高功率LED驱动电源的开关,该MOSFET可以确保稳定的电流供给,广泛应用于商业和工业照明。

5. **DC-DC转换器**:在DC-DC转换器中,K3483-Z-VB能够实现高效的电源转换,适合于便携式电子设备和电源适配器。

凭借其卓越的电气性能和广泛的应用范围,K3483-Z-VB在现代电子设计中是一个重要的选择。### K3483-Z-VB 产品简介

K3483-Z-VB是一款高效的单N通道MOSFET,采用TO252封装,专为中等电压和高电流应用设计。其最大漏源电压(VDS)为100V,适合多种电源管理和转换系统。K3483-Z-VB的阈值电压(Vth)为1.8V,能够在较低的栅源电压下实现稳定的开关性能。该器件的导通电阻(RDS(ON)为35mΩ(@VGS=4.5V)和30mΩ(@VGS=10V),最大承载电流可达40A,确保在高频开关操作中提供出色的性能。

### K3483-Z-VB 详细参数说明

- **封装**:TO252
- **配置**:单N通道
- **最大漏源电压 (VDS)**:100V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 35mΩ(@ VGS = 4.5V)
 - 30mΩ(@ VGS = 10V)
- **最大漏电流 (ID)**:40A
- **技术**:Trench技术

### 应用领域和模块示例

1. **开关电源**:K3483-Z-VB非常适合用于开关电源(SMPS),其低导通电阻和适中的电流能力使其在能效和热管理方面表现优越。

2. **电动机驱动**:在电动机控制系统中,该MOSFET可用于H桥电路,控制电机的启动、停止和速度,适合多种工业和家用电器。

3. **电池管理系统**:K3483-Z-VB能够在电池管理系统中有效控制充放电过程,确保电池安全使用,提升电池的性能和寿命。

4. **LED照明驱动**:作为高功率LED驱动电源的开关,该MOSFET可以确保稳定的电流供给,广泛应用于商业和工业照明。

5. **DC-DC转换器**:在DC-DC转换器中,K3483-Z-VB能够实现高效的电源转换,适合于便携式电子设备和电源适配器。

凭借其卓越的电气性能和广泛的应用范围,K3483-Z-VB在现代电子设计中是一个重要的选择。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    124浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    105浏览量