--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 30mΩ@VGS=10V
- ID 40A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
K3483-Z-E1-AZ-VB是一款高效能单N通道MOSFET,采用TO252封装,专为中等电压和电流应用设计。其优良的导通性能和低导通电阻使其在多种电源管理和驱动电路中表现卓越,适合广泛的应用需求。
### 详细参数说明
- **型号**: K3483-Z-E1-AZ-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N通道
- **漏极-源极电压(VDS)**: 100V
- **栅极-源极电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 1.8V
- **导通电阻(RDS(ON))**: 35mΩ@VGS=4.5V,30mΩ@VGS=10V
- **连续漏电流(ID)**: 40A
- **技术**: Trench
### 应用领域
K3483-Z-E1-AZ-VB广泛应用于电源转换器、LED驱动电路和电动机控制系统。其低RDS(ON)特性有助于提高系统的能效,尤其适合高频开关电源和便携式设备。此外,该产品也适用于电池管理系统和工业自动化设备,确保可靠的电流控制和高效的能量管理。### 产品简介
K3483-Z-E1-AZ-VB是一款高效能单N通道MOSFET,采用TO252封装,专为中等电压和电流应用设计。其优良的导通性能和低导通电阻使其在多种电源管理和驱动电路中表现卓越,适合广泛的应用需求。
### 详细参数说明
- **型号**: K3483-Z-E1-AZ-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N通道
- **漏极-源极电压(VDS)**: 100V
- **栅极-源极电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 1.8V
- **导通电阻(RDS(ON))**: 35mΩ@VGS=4.5V,30mΩ@VGS=10V
- **连续漏电流(ID)**: 40A
- **技术**: Trench
### 应用领域
K3483-Z-E1-AZ-VB广泛应用于电源转换器、LED驱动电路和电动机控制系统。其低RDS(ON)特性有助于提高系统的能效,尤其适合高频开关电源和便携式设备。此外,该产品也适用于电池管理系统和工业自动化设备,确保可靠的电流控制和高效的能量管理。
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