--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
- ID 58A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### K3402-Z-VB 产品简介
K3402-Z-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为高效能应用设计。其最大漏极-源极电压 (VDS) 为 60V,适合多种电源和开关电路。凭借低导通电阻,该器件在高电流条件下表现优异,确保系统的高效能与可靠性。
### 详细参数说明
- **型号**: K3402-Z-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单个 N 通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 13mΩ (VGS = 4.5V)
- 10mΩ (VGS = 10V)
- **最大漏极电流 (ID)**: 58A
- **技术**: Trench 技术
### 应用领域和模块示例
K3402-Z-VB 在多个领域和模块中具有广泛应用:
1. **电源管理**:该 MOSFET 适用于开关电源和 DC-DC 转换器,凭借其低导通电阻,可显著提高电源效率,减少能量损耗,提升系统性能。
2. **电动机驱动**:在电动机控制系统中,K3402-Z-VB 可作为开关元件,有效支持电动机的启动和运行,确保电流的稳定控制。
3. **LED 照明**:在 LED 驱动电路中,该器件可以高效地控制 LED 的开关,优化照明效果,适合用于智能照明和照明控制系统。
4. **电池管理系统**:K3402-Z-VB 在电池充电和放电管理中扮演重要角色,能够提高充电效率,特别适合电动车和便携式设备。
通过这些应用,K3402-Z-VB 显示出其在现代电子产品中的重要性,满足高效能和高可靠性的需求。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12