### K3367-Z-E1-AZ-VB 产品简介
K3367-Z-E1-AZ-VB是一款高性能单N通道MOSFET，采用TO252封装，专为低电压高电流应用设计。其最大漏源电压（VDS）为30V，适合用于要求小型化和高效率的电子设备。该器件的阈值电压（Vth）为1.7V，能够在较低的栅源电压下正常工作。K3367-Z-E1-AZ-VB具有优越的导通电阻，分别为9mΩ（@VGS=4.5V）和7mΩ（@VGS=10V），可承载高达70A的漏电流，确保在高频开关操作中实现最低能耗。
### K3367-Z-E1-AZ-VB 详细参数说明
- **封装**：TO252
- **配置**：单N通道
- **最大漏源电压 (VDS)**：30V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 9mΩ（@ VGS = 4.5V）
- 7mΩ（@ VGS = 10V）
- **最大漏电流 (ID)**：70A
- **技术**：Trench技术
### 应用领域和模块示例
1. **高效开关电源**：K3367-Z-E1-AZ-VB非常适合于低电压高效开关电源（SMPS），因其低导通电阻和高电流能力，能够有效降低功耗，提升系统效率。
2. **LED驱动**：在LED驱动电路中，该MOSFET能够提供稳定的电流控制，确保LED的亮度稳定，广泛应用于各类照明系统中。
3. **电池管理系统**：K3367-Z-E1-AZ-VB在电池管理系统中表现优异，能够高效管理充放电过程，确保电池安全使用，提升电池的性能和寿命。
4. **小型电机控制**：在小型电机驱动应用中，该MOSFET可以作为H桥电路的开关，控制电机的启停及调速，适合于消费电子产品和机器人技术。
5. **电源管理IC**：作为电源管理集成电路中的开关元件，K3367-Z-E1-AZ-VB能够高效切换电源路径，广泛应用于智能手机和便携式设备中。
K3367-Z-E1-AZ-VB凭借其卓越的性能和多样化的应用，成为现代电子设计中不可或缺的关键元件。
