--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
- ID 70A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
K3366-Z-E1-AZ-VB是一款高效能单N通道MOSFET,采用TO252封装,专为低电压高电流应用设计。其卓越的导通性能和极低的导通电阻,使其在多种电源管理和驱动应用中表现优异。
### 详细参数说明
- **型号**: K3366-Z-E1-AZ-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N通道
- **漏极-源极电压(VDS)**: 30V
- **栅极-源极电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**: 9mΩ@VGS=4.5V,7mΩ@VGS=10V
- **连续漏电流(ID)**: 70A
- **技术**: Trench
### 应用领域
K3366-Z-E1-AZ-VB广泛应用于电源转换器、LED驱动电路和电机控制系统。其低RDS(ON)使其在高频开关应用中具有优秀的能效表现,尤其适合用于便携式设备和消费电子产品中。此外,该产品也适合于汽车电子系统和工业自动化设备,确保可靠的电流管理和高效的功率转换。
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