### 产品简介
K3365-Z-E1-AZ-VB是一款高效能单N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为低压、高频开关应用设计。其极低的导通电阻和高电流承载能力，使其在各种电源管理和控制系统中表现出色，适合于高效能的电子设备。
### 详细参数说明
- **封装**：TO252
- **配置**：单N通道
- **VDS**：30V
- **VGS**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**：70A
- **技术**：Trench
### 应用领域
K3365-Z-E1-AZ-VB广泛应用于DC-DC转换器、LED驱动和便携式电子设备等领域，特别适合于高效电源管理模块和开关电源设计。其低导通电阻和高电流能力使其在现代电源解决方案中扮演重要角色，能够有效提高整体系统的能效与稳定性。
