--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
- ID 70A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### K3278-VB 产品简介
K3278-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封装设计。它的最大漏极-源极电压 (VDS) 为 30V,适合在低压高流量的应用中使用。K3278-VB 具有优良的导通电阻特性,使其在各种电子电路中具备出色的效率,尤其适用于需要快速开关和高电流处理的场景。
### 详细参数说明
- **型号**: K3278-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单个 N 通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ (VGS = 4.5V)
- 7mΩ (VGS = 10V)
- **最大漏极电流 (ID)**: 70A
- **技术**: Trench 技术
### 应用领域和模块示例
K3278-VB 在以下领域和模块中具有广泛的应用:
1. **电源管理**:该 MOSFET 常用于开关电源和 DC-DC 转换器中,凭借其低导通电阻,能够显著提高转换效率,减少热量损失,适合高性能电源设计。
2. **电动工具**:在电动工具的电池管理和驱动系统中,K3278-VB 可作为开关器件,实现快速高效的电流控制,确保设备在不同负载下的稳定性和可靠性。
3. **LED 照明**:用于 LED 驱动电路,K3278-VB 能够提供高电流支持,并以低热量运行,提高灯具的能效和使用寿命,适合高亮度照明解决方案。
4. **消费电子产品**:在智能手机、平板电脑等消费电子设备中,K3278-VB 可以用于电源管理和信号开关,帮助实现小型化和高效能设计。
通过这些应用,可以看出 K3278-VB 是一款在现代电子产品中不可或缺的 MOSFET,能够满足高效能和高可靠性的需求。
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