--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
- ID 70A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### K3274STL-E-VB 产品简介
K3274STL-E-VB 是一款高性能的单N通道MOSFET,封装为TO252,专为低电压高电流应用而设计。其工作电压为30V,具有极低的导通电阻,适合各种功率转换和驱动电路。该器件采用Trench技术制造,具备良好的热性能和开关特性,适合高频操作。
### 详细参数说明
- **型号**: K3274STL-E-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N通道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 70A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
1. **开关电源**: K3274STL-E-VB 的低导通电阻使其在开关电源中极为高效,可以有效降低功耗和热量,提高整体能量转换效率。
2. **电机驱动**: 该MOSFET的高电流承载能力使其非常适合电机驱动应用,能够实现快速开关,提升电机控制的精确度和响应速度。
3. **LED驱动**: 在LED照明领域,K3274STL-E-VB 可用于高效的驱动电路中,以确保稳定的电流和亮度,延长LED的使用寿命。
4. **电池管理系统**: 由于其低导通电阻和高效率,该MOSFET可广泛应用于电池管理系统,帮助优化充电和放电过程,提高电池的性能和安全性。
5. **消费电子**: 在各类消费电子设备中,如移动电话、笔记本电脑等,K3274STL-E-VB 作为功率开关可以有效降低能耗,提高电池续航能力。
通过这些应用,K3274STL-E-VB 可以帮助实现高效、稳定的电源管理,满足现代电子设备对性能和效率的严格要求。
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