--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 200V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 55mΩ@VGS=10V
- ID 30A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### K3161-VB 产品简介
K3161-VB 是一款高压 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为需要中等电流和高压控制的应用而设计。其最大漏源电压 (VDS) 为 200V,栅源电压 (VGS) 极限为 ±20V,能够在各种高压电源系统中提供可靠的电压控制。该器件的导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS=10V 时为 55mΩ,最大持续电流 (ID) 为 30A,适合在大功率转换系统中使用。其先进的 Trench 技术,保证了在高效能和高功率密度应用中的出色表现。K3161-VB 适用于开关电源、工业电机驱动、电池保护等多种高压功率转换应用场景。
### K3161-VB 详细参数说明
| 参数 | 说明 |
|---------------------|------------------------|
| 型号 | K3161-VB |
| 封装 | TO252 |
| 配置 | 单个 N 沟道 |
| 漏源电压 (VDS) | 200V |
| 栅源电压 (VGS) | ±20V |
| 阈值电压 (Vth) | 3V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 55mΩ @ VGS=10V |
| 最大持续电流 (ID) | 30A |
| 技术 | Trench |
### 应用领域和模块示例
1. **开关电源 (SMPS)**:K3161-VB 能够在开关电源中提供高效的电压转换功能。其高耐压能力使其非常适合用于输入电压较高的工业电源设计,提高了电源系统的效率和稳定性。
2. **工业电机驱动**:在工业电机控制系统中,该 MOSFET 可用于驱动高压电机。它可以通过控制高压电流为电机提供高效的驱动信号,适用于需要高可靠性的工业自动化应用。
3. **电池管理系统**:K3161-VB 能够处理大电流和高电压,非常适合在电池保护模块中使用,确保电池在充放电过程中的安全和稳定。
4. **光伏发电系统**:在光伏逆变器中,该 MOSFET 可用于高压直流到交流的转换电路中,提升系统的转换效率,是太阳能发电系统中的理想选择。
5. **不间断电源 (UPS)**:在 UPS 系统中,K3161-VB 可用作高效能开关元件,确保系统在高电压下的稳定运行,并提高电源的响应速度。
K3161-VB 的高压能力和低导通电阻,使其在各种高压功率转换和控制领域中具有广泛的应用前景,尤其适用于工业电源、光伏系统和电池管理系统。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12