### 产品简介：K3147-VB MOSFET
K3147-VB是一款高效能的单N沟道功率MOSFET，采用TO252封装，专为多种中等电压应用而设计。其最大漏源电压（VDS）为100V，能够满足对高电压的需求。该器件的阈值电压（Vth）为1.8V，在较低的栅电压下便可有效导通。K3147-VB具有出色的导通特性，其在VGS=10V时的导通电阻（RDS(ON)）仅为114mΩ，确保了高效的电流传输。采用Trench技术，K3147-VB不仅提高了开关速度，降低了开关损耗，同时也在高频应用中表现出色，是电子设备中不可或缺的元件。
### 参数说明：
- **封装**: TO252
- **沟道配置**: 单N沟道
- **漏源电压（VDS）**: 100V
- **栅源电压（VGS）**: ±20V
- **开启阈值电压（Vth）**: 1.8V
- **导通电阻（RDS(ON)）**: 114mΩ@VGS=10V
- **漏极电流（ID）**: 15A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块：
1. **开关电源（SMPS）**：
K3147-VB广泛用于开关电源中，能够在高电压和高电流条件下高效工作，降低开关损耗，提高电源效率，是电源管理系统的重要组成部分。
2. **电动机驱动**：
在电动机控制应用中，该MOSFET可用于驱动电动机，实现精确的电流控制，适合于电动工具、家用电器和工业设备等领域。
3. **电池管理系统（BMS）**：
K3147-VB适合在电池管理系统中使用，能够高效控制电池的充放电过程，保障电池的安全性和寿命，广泛应用于电动车和储能系统。
4. **LED驱动**：
在LED照明应用中，该MOSFET可作为高效的开关元件，确保LED灯具的稳定亮度和长寿命，适合于各种商业和住宅照明方案。
5. **便携式电子设备**：
K3147-VB也适用于便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑等，能够高效管理电池充电过程，提升设备的续航能力和用户体验。
