--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
- ID 15A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介:
K3147S-VB 是一款高性能单通道N型功率MOSFET,采用TO252封装,旨在满足多种中等电压应用的需求。该MOSFET 最大漏源极电压(VDS)为100V,栅源极电压(VGS)可达±20V,具有优异的电气性能。其阈值电压(Vth)为1.8V,导通电阻(RDS(ON))在10V栅源电压下为114mΩ,确保在导通状态下的能量损耗最小。K3147S-VB 利用先进的Trench技术设计,提供高效的功率管理和散热性能,非常适合用于高频和高电流的开关应用。
### 详细参数说明:
1. **漏源极电压 (VDS)**: 100V
2. **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
3. **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
4. **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 114mΩ @ VGS=10V
5. **最大漏极电流 (ID)**: 15A
6. **封装类型**: TO252
7. **技术类型**: Trench(沟槽技术)
8. **工作温度范围**: -55°C 至 150°C
9. **功率耗散**: 45W
10. **开关速度**: 快,适合高频应用
### 应用领域与模块示例:
1. **电源管理**: K3147S-VB 在开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中应用广泛,由于其较低的导通电阻,有助于提高整体能效并降低热量。
2. **电动工具**: 该MOSFET 非常适合用于电动工具的电源控制模块,能够在高负载下可靠运行,同时有效管理电能。
3. **电池管理系统**: 在电池充放电管理系统中,K3147S-VB 可以用作功率开关,确保安全高效地控制电流流动,延长电池寿命。
4. **LED照明**: K3147S-VB 可用于LED驱动电路,提供高效的电流控制,以实现均匀的照明效果和延长灯具使用寿命。
5. **家用电器**: 该MOSFET 适合在各种家用电器中用作功率开关,如洗衣机、空调和冰箱等,帮助提高设备的工作效率。
6. **电动汽车**: 在电动汽车的电源控制系统中,K3147S-VB 可用于电机驱动和电池管理,提供高效的功率调度。
7. **工业控制**: K3147S-VB 在工业自动化系统中用于驱动电机和其他高功率设备,支持精确的电流控制,提升系统的稳定性和可靠性。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12