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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K3134-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K3134-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### K3134-VB 产品简介

K3134-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为高电流和低电压应用设计。该器件的最大漏源电压 (VDS) 为 30V,适用于广泛的电子设备。其栅源电压 (VGS) 的极限为 ±20V,使其在多种应用中具有良好的适应性。K3134-VB 的阈值电压 (Vth) 为 1.7V,确保快速开启和关闭,提升系统响应速度。该 MOSFET 的导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS=4.5V 时为 3mΩ,而在 VGS=10V 时为 2mΩ,显示出极低的能量损耗,并使其在最大持续电流 (ID) 可达 100A 的条件下,具备优异的电流承载能力。K3134-VB 采用先进的 Trench 技术,具备卓越的热性能和高效能,使其在各类应用中表现突出。

### K3134-VB 详细参数说明

| 参数                  | 说明                     |
|---------------------|------------------------|
| 型号                  | K3134-VB               |
| 封装                  | TO252                  |
| 配置                  | 单个 N 沟道              |
| 漏源电压 (VDS)       | 30V                    |
| 栅源电压 (VGS)       | ±20V                   |
| 阈值电压 (Vth)       | 1.7V                   |
| 导通电阻 (RDS(ON))    | 3mΩ @ VGS=4.5V        |
|                       | 2mΩ @ VGS=10V         |
| 最大持续电流 (ID)    | 100A                   |
| 技术                  | Trench                 |

### 应用领域和模块示例

1. **电源管理**:K3134-VB 非常适合用于高效的开关电源(SMPS)设计,能够在高负载条件下运行,并确保最低的能量损耗,从而提高系统的整体效率。

2. **电动汽车**:在电动汽车的驱动电路中,K3134-VB 可以用作电机控制开关,具备高电流处理能力,确保驱动系统的可靠性和响应速度。

3. **LED 驱动**:该 MOSFET 可在 LED 照明应用中用于调光和开关控制,利用其低导通电阻特性,优化能量使用并延长 LED 组件的使用寿命。

4. **便携式设备**:K3134-VB 适合用于各种消费电子产品的电源管理模块,如智能手机、平板电脑和充电器,能够提供高效的充电和能量管理解决方案。

综上所述,K3134-VB 是一款设计出色的 MOSFET,广泛适用于电源管理、电动汽车、LED 驱动和消费电子等领域,展现了其在现代电子设备中的重要价值。

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