### 一、产品简介：
K3031-VB 是一款高效能的单 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，专为中等电压应用设计。其最大漏源电压（VDS）可达 100V，栅源电压（VGS）为 ±20V，使其适用于多种电源管理和开关应用。K3031-VB 的开启阈值电压（Vth）为 1.8V，确保在较低的栅压下也能快速导通。其导通电阻（RDS(ON)）为 114mΩ @ VGS = 10V，使得在高电流（ID 最大为 15A）应用中具有较低的功率损耗。采用 Trench 技术，K3031-VB 提供了更高的效率和更好的热性能，适合用于电力转换和电动机驱动等领域。
### 二、详细参数说明：
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **开启阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 114mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 15A
- **技术**: Trench
### 三、应用领域和模块举例：
1. **电源管理系统**：K3031-VB 可广泛应用于电源管理模块中，如 DC-DC 转换器和电源适配器，以提高转换效率和降低热量损耗。
2. **电动机控制**：在电动机驱动系统中，该 MOSFET 适合用于高效的开关控制，如小型电动机和风扇驱动，有助于提升系统的能效和可靠性。
3. **LED 驱动电路**：K3031-VB 可用于 LED 照明驱动电路，提供稳定的电流控制，确保 LED 的长寿命和高亮度。
4. **开关电源（SMPS）**：在开关电源设计中，该器件能够承受 100V 的电压，适合用于高频开关应用，提升电源的整体性能。
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