### K2982-Z-VB MOSFET 产品简介
K2982-Z-VB 是一款高性能的单 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO252 封装设计，专为应对低电压、高电流应用而开发。该器件具有最大漏极-源极电压 (VDS) 达到 30V，最大漏极电流 (ID) 高达 80A，适合在电气条件严格的环境中使用。K2982-Z-VB 的导通电阻 (RDS(ON)) 在 10V 的栅极电压下仅为 5mΩ，确保了出色的能效和低功耗特性，非常适合用于各种电源管理和开关应用。
### 详细参数说明
- **封装类型**：TO252
- **配置**：单 N 沟道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**：30V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**：±20V
- **开启电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：6mΩ @ VGS=4.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**：80A
- **技术**：Trench
- **工作温度范围**：-55°C 至 150°C
- **热阻 (RθJA)**：优化设计以适应高功率应用。
### 应用领域与模块
1. **电源管理**：
K2982-Z-VB 在**电源管理**领域的应用广泛，特别是在 DC-DC 转换器中。其低导通电阻特性使其能够在降低功耗的同时，提供稳定的电流输出，满足各种电子设备对电源的高效能需求。
2. **电动机驱动**：
此 MOSFET 非常适合用于**电动机驱动**应用，如直流电机和步进电机的驱动电路。其高电流处理能力和快速开关特性使其在工业自动化和机器人技术中具备可靠性和高效性。
3. **开关应用**：
K2982-Z-VB 也可用于**开关应用**，在开关电源和转换电路中表现优异。其响应时间快和低导通损耗，使其成为高频开关电路的理想选择，有助于提高电路的整体效率。
4. **消费电子**：
在**消费电子产品**中，如智能手机、平板电脑等，K2982-Z-VB 可以用于电源管理和信号放大，提供高效、稳定的性能。这对于追求便携和高效能的现代电子产品至关重要。
