### 一、产品简介：
K2982-VB 是一款高效能单 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，特别设计用于低电压和高电流应用。其最大漏源电压（VDS）为 30V，栅源电压（VGS）可达到 ±20V，适合多种电子电路的开关需求。K2982-VB 的开启阈值电压（Vth）为 1.7V，确保在较低的栅压下迅速开启。该器件的导通电阻（RDS(ON)）在 VGS 为 4.5V 时为 6mΩ，在 VGS 为 10V 时为 5mΩ，使其在高电流（ID 最大为 80A）应用中具备出色的功率效率。采用 Trench 技术，使其具有更快的开关速度和更低的功率损耗，适用于多种高效电力转换应用。
### 二、详细参数说明：
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **开启阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 80A
- **技术**: Trench
### 三、应用领域和模块举例：
1. **电源管理**：K2982-VB 可用于高效的 DC-DC 转换器中，提供稳定的电源输出，并降低功率损耗，从而提升整体能效。
2. **电机驱动**：在电动机控制系统中，K2982-VB 能够作为开关元件使用，支持高达 80A 的电流，适用于电动工具、电动车辆和工业自动化设备的电机驱动。
3. **LED 照明**：在 LED 驱动电路中，该 MOSFET 可用于高功率 LED 的驱动，确保在高电流工作下提供稳定的性能，同时提高能效。
4. **电力电子设备**：K2982-VB 在家用电器和消费电子产品中也可用作开关元件，支持高效的电力转换和控制，提升产品的整体性能。
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