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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K2940-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K2940-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
  • ID 58A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、产品简介

K2940-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,采用TO252封装,专为中等电压和高电流应用设计。该器件的漏源极电压(VDS)为60V,最大栅极电压(VGS)为±20V,适合用于各种电源管理和开关应用。K2940-VB的阈值电压为2.5V,能够在较低的栅极电压下快速开启。其导通电阻为13mΩ(@VGS=4.5V)和10mΩ(@VGS=10V),最大漏极电流可达58A。该MOSFET采用Trench技术,具有低功耗和高效率的优点,广泛应用于现代电子设备和系统中。

### 二、详细参数说明

- **封装类型**:TO252  
- **沟道配置**:单N沟道  
- **漏源极电压 (VDS)**:60V  
- **栅极电压 (VGS)**:±20V  
- **阈值电压 (Vth)**:2.5V  
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 13mΩ @ VGS=4.5V  
 - 10mΩ @ VGS=10V  
- **漏极电流 (ID)**:58A  
- **技术类型**:Trench  
- **功耗**:低功耗,适合高效能应用  
- **工作温度范围**:-55°C ~ 150°C  

### 三、应用领域和模块举例

1. **电源管理**:K2940-VB广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和AC-DC转换器等电源管理模块。其低导通电阻可有效降低能量损耗,提高系统效率,特别是在高负载条件下。

2. **电机驱动**:该MOSFET适用于各种电机驱动应用,如直流电机、步进电机和伺服电机控制系统。其高电流能力和快速开关特性使其在电机控制中表现出色,能够提高电机的控制精度和动态响应能力。

3. **LED照明**:在LED驱动电路中,K2940-VB可以高效驱动高功率LED灯具。其优良的导通性能和低功耗特性使其非常适合现代照明系统,确保光源的高效能和长使用寿命。

4. **电动工具和消费电子**:在电动工具、移动设备和其他消费电子产品中,K2940-VB能够提供高效能的开关控制,支持高电流和高功率的操作,增强了设备的性能和可靠性。

通过这些应用,K2940-VB展示了其在各种电子设备中的广泛适用性,成为高效能电源和开关解决方案的重要选择。

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