### 一、K291TL-E-VB 产品简介
K291TL-E-VB 是一款高效能单 N 沟道功率 MOSFET，采用现代 TO263 封装，设计用于要求高电流和低功耗的应用。该器件的漏源极电压 (VDS) 可达到 60V，最大漏极电流 (ID) 高达 75A，适用于多种工业和消费电子设备。凭借其优越的 Trench 技术，K291TL-E-VB 提供极低的导通电阻 (RDS(ON))，在 VGS=10V 时为 11mΩ，在 VGS=4.5V 时为 12mΩ，显著降低了功率损耗，从而提高了系统的能效和散热性能。
### 二、K291TL-E-VB 详细参数说明
- **封装**: TO263
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 12mΩ @ VGS=4.5V
- 11mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 75A
- **技术**: Trench
### 三、应用领域与模块说明
K291TL-E-VB 的优越性能使其在多个领域具有广泛的应用潜力，以下是一些典型应用示例：
1. **高效电源转换**:
在 DC-DC 转换器中，K291TL-E-VB 能够提供高效的电流控制，降低能量损耗，确保输出电压稳定，为各种电子设备供电。
2. **电机驱动应用**:
该 MOSFET 适用于电动机控制，尤其是在需要高启动电流的应用中，如电动车辆、电动工具和工业机械，能够保证设备在高负载情况下的稳定运行。
3. **LED 照明系统**:
K291TL-E-VB 可用于驱动高功率 LED 照明解决方案，能够快速响应调光需求，并且在高频开关应用中表现出色，以实现高效的照明效果。
4. **充电器与适配器**:
由于其高电流处理能力和低导通电阻，K291TL-E-VB 适合用作移动设备和笔记本电脑充电器中的开关元件，能实现快速充电，同时降低热量产生。
K291TL-E-VB 是一款卓越的功率 MOSFET，设计旨在满足现代高电流、低电压应用的需求，为设计师提供灵活的解决方案。
