--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 4300mΩ@VGS=10V
- ID 2A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介:
K2865-VB 是一款高压单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为高电压、低功耗应用设计。该器件的最大漏源电压(VDS)为 650V,栅源电压(VGS)为 ±30V,能够在高压环境中稳定工作。K2865-VB 的开启阈值电压(Vth)为 3.5V,适合于需要较高驱动电压的应用场景。其导通电阻(RDS(ON))为 3440mΩ @ VGS = 4.5V 和 4300mΩ @ VGS = 10V,最大漏极电流(ID)为 2A,适合低功耗的高压控制和开关电路。
### 二、详细参数说明:
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **开启阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 3440mΩ @ VGS = 4.5V;4300mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 2A
- **技术**: 平面型(Plannar)
### 三、应用领域和模块举例:
1. **电源保护模块**:K2865-VB 非常适合用于高压环境下的电源保护电路。其高漏源电压和较低的导通电流允许其在电源过压和过载保护中发挥重要作用,确保系统在突发电流时安全运行。
2. **电机驱动和控制**:虽然其电流容量较小,但 K2865-VB 可用于轻型电机驱动应用,特别是在需要高压但功率要求不高的环境中,例如小型家用电器的控制模块。
3. **光伏逆变器**:在太阳能光伏系统中,K2865-VB 作为高压转换器的一部分,能有效处理从太阳能板收集的高压直流电并转换成可用的交流电,适合用于小型或家用光伏发电系统。
4. **智能家居设备**:该器件也可以用于智能家居系统中的高压开关模块,如智能灯光控制和其他小型高压负载的智能化控制。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12