企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 82 粉丝

K2819-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K2819-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### K2819-VB 产品简介

K2819-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为低电压和高电流应用设计。该器件的漏源电压 (VDS) 可达 30V,适合在多种电子设备中使用。K2819-VB 的栅源电压 (VGS) 范围为 ±20V,阈值电压 (Vth) 仅为 1.7V,确保其能够在较低电压下迅速导通。该 MOSFET 的导通电阻 (RDS(ON)) 具有优异的性能,分别为 9mΩ @ VGS=4.5V 和 7mΩ @ VGS=10V,显示出其卓越的导通效率,降低了功率损耗。最大持续电流 (ID) 可达 70A,采用 Trench 技术制造,提供高效能和优良的热管理性能,非常适合要求较高的应用场合。

### K2819-VB 详细参数说明

| 参数                  | 说明                     |
|---------------------|------------------------|
| 型号                  | K2819-VB               |
| 封装                  | TO252                  |
| 配置                  | 单个 N 沟道              |
| 漏源电压 (VDS)       | 30V                    |
| 栅源电压 (VGS)       | ±20V                   |
| 阈值电压 (Vth)       | 1.7V                   |
| 导通电阻 (RDS(ON))    | 9mΩ @ VGS=4.5V        |
|                     | 7mΩ @ VGS=10V          |
| 最大持续电流 (ID)    | 70A                    |
| 技术                  | Trench                 |

### 应用领域和模块示例

1. **电源管理解决方案**:K2819-VB 被广泛应用于高效的 DC-DC 转换器和开关电源(SMPS),帮助实现优良的电源转换效率和降低能量损耗,适用于各种工业和消费类电子产品。

2. **LED 驱动器**:在 LED 照明系统中,K2819-VB 可作为高效开关,用于调节电流,提升 LED 的亮度和能效,广泛应用于家庭和商业照明解决方案。

3. **电动工具**:在电动工具和小型电机驱动应用中,该 MOSFET 可提供稳定的电流供应,确保工具的高效运行和耐用性,适合需要高功率和高效率的工具。

4. **汽车电子**:在汽车电子设备中,K2819-VB 可以用于电源分配和控制模块,支持高电流的电机控制和信号调节,提高汽车电气系统的性能和稳定性。

凭借其卓越的电气性能和广泛的应用范围,K2819-VB 是各种低电压高电流应用中的理想选择,能够满足多种领域和模块的需求。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    1393浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    1081浏览量