--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=10V
- ID 97A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### K2553-VB MOSFET 产品简介
K2553-VB是一款高性能**单N通道MOSFET**,采用**TO252封装**,专为高电流和低导通电阻应用设计。该器件具有**60V的漏极到源极电压(VDS)**,适用于中低压电源和开关应用。其导通电阻(RDS(ON))在VGS=4.5V时为**12mΩ**,在VGS=10V时低至**4.5mΩ**,确保在高电流工作条件下的高效率和低功耗。K2553-VB的**阈值电压(Vth)**为**3V**,并且最大**漏极电流(ID)**可达**97A**,能够在高功率场景中稳定运行。其基于**Trench技术**制造,具备良好的开关速度和导通性能,非常适合电力转换和负载开关应用。
### 详细参数说明
1. **封装**: TO252
这种小型化封装提供了出色的热管理和紧凑的PCB设计,适合高功率密度应用。
2. **配置**: 单N通道
这种配置能够在高效开关和功率放大应用中提供优越的性能。
3. **VDS(漏极到源极电压)**: 60V
能够承受中等电压,适合在汽车电子、电源管理等中低压应用中使用。
4. **VGS(栅极到源极电压)**: ±20V
提供了宽广的栅极驱动电压范围,增加了设计的灵活性。
5. **Vth(阈值电压)**: 3V
较低的阈值电压意味着该MOSFET能够在较低的栅极电压下启动,确保开关响应迅速。
6. **RDS(ON)(导通电阻)**:
- **12mΩ @ VGS=4.5V**
- **4.5mΩ @ VGS=10V**
低导通电阻使其适用于高效能转换,减少了功率损耗,提升系统效率。
7. **ID(漏极电流)**: 97A
高漏极电流能力非常适合大电流负载驱动和电力转换应用。
8. **技术**: Trench
该技术提升了MOSFET的开关速度和导通效率,适合高效能和高速开关应用。
### 应用领域和模块示例
1. **汽车电子**
K2553-VB适合用于汽车电子领域中的**电动座椅、电动窗和照明系统**等模块,能够提供可靠的电源开关和高效的电流控制。
2. **DC-DC转换器**
在**DC-DC转换器**中,该MOSFET能够高效管理电源转换,特别适合中低压电源模块,广泛应用于通信设备、消费电子和工业控制系统。
3. **电池管理系统(BMS)**
K2553-VB在**电池管理系统**中表现优异,特别是电动车和储能系统中,提供高效的电流控制和低功耗特性,确保电池安全和高效充放电。
4. **电机控制**
其高电流承载能力使其在**电机控制**应用中,如风扇、电动工具和电动泵中,能够作为高效的驱动元件,提供稳定的电源管理和负载控制。
5. **电源开关和负载开关**
K2553-VB在**负载开关**和**电源开关**模块中能够实现低导通损耗,确保在不同电源环境下的稳定操作,适用于工业自动化设备和智能家居电源管理系统。
总结来看,K2553-VB凭借其出色的高电流能力、低导通电阻和高速开关特性,在**电源管理、汽车电子、工业控制**等领域具有广泛的应用前景,能够为高效电力转换和负载管理提供可靠的解决方案。
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