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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K2553-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K2553-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=10V
  • ID 97A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### K2553-VB MOSFET 产品简介

K2553-VB是一款高性能**单N通道MOSFET**,采用**TO252封装**,专为高电流和低导通电阻应用设计。该器件具有**60V的漏极到源极电压(VDS)**,适用于中低压电源和开关应用。其导通电阻(RDS(ON))在VGS=4.5V时为**12mΩ**,在VGS=10V时低至**4.5mΩ**,确保在高电流工作条件下的高效率和低功耗。K2553-VB的**阈值电压(Vth)**为**3V**,并且最大**漏极电流(ID)**可达**97A**,能够在高功率场景中稳定运行。其基于**Trench技术**制造,具备良好的开关速度和导通性能,非常适合电力转换和负载开关应用。

### 详细参数说明

1. **封装**: TO252  
  这种小型化封装提供了出色的热管理和紧凑的PCB设计,适合高功率密度应用。

2. **配置**: 单N通道  
  这种配置能够在高效开关和功率放大应用中提供优越的性能。

3. **VDS(漏极到源极电压)**: 60V  
  能够承受中等电压,适合在汽车电子、电源管理等中低压应用中使用。

4. **VGS(栅极到源极电压)**: ±20V  
  提供了宽广的栅极驱动电压范围,增加了设计的灵活性。

5. **Vth(阈值电压)**: 3V  
  较低的阈值电压意味着该MOSFET能够在较低的栅极电压下启动,确保开关响应迅速。

6. **RDS(ON)(导通电阻)**:  
  - **12mΩ @ VGS=4.5V**  
  - **4.5mΩ @ VGS=10V**  
  低导通电阻使其适用于高效能转换,减少了功率损耗,提升系统效率。

7. **ID(漏极电流)**: 97A  
  高漏极电流能力非常适合大电流负载驱动和电力转换应用。

8. **技术**: Trench  
  该技术提升了MOSFET的开关速度和导通效率,适合高效能和高速开关应用。

### 应用领域和模块示例

1. **汽车电子**  
  K2553-VB适合用于汽车电子领域中的**电动座椅、电动窗和照明系统**等模块,能够提供可靠的电源开关和高效的电流控制。

2. **DC-DC转换器**  
  在**DC-DC转换器**中,该MOSFET能够高效管理电源转换,特别适合中低压电源模块,广泛应用于通信设备、消费电子和工业控制系统。

3. **电池管理系统(BMS)**  
  K2553-VB在**电池管理系统**中表现优异,特别是电动车和储能系统中,提供高效的电流控制和低功耗特性,确保电池安全和高效充放电。

4. **电机控制**  
  其高电流承载能力使其在**电机控制**应用中,如风扇、电动工具和电动泵中,能够作为高效的驱动元件,提供稳定的电源管理和负载控制。

5. **电源开关和负载开关**  
  K2553-VB在**负载开关**和**电源开关**模块中能够实现低导通损耗,确保在不同电源环境下的稳定操作,适用于工业自动化设备和智能家居电源管理系统。

总结来看,K2553-VB凭借其出色的高电流能力、低导通电阻和高速开关特性,在**电源管理、汽车电子、工业控制**等领域具有广泛的应用前景,能够为高效电力转换和负载管理提供可靠的解决方案。

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