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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K2415-Z-E2-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K2415-Z-E2-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、K2415-Z-E2-VB MOSFET 产品简介
K2415-Z-E2-VB 是一款高性能的单通道 N 型 MOSFET,采用 TO252 封装,特别设计用于低电压、高电流的应用。其最大漏源极电压(VDS)为 60V,适合多种电源和负载驱动的需求。该器件的栅源极电压(VGS)范围为 ±20V,提供了良好的开关控制灵活性。K2415-Z-E2-VB 的开启电压(Vth)为 1.7V,使其在较低的栅极电压下即可实现有效导通。其导通电阻(RDS(ON))在 VGS 为 10V 时为 73mΩ,显示出较低的导通损耗,有助于提高系统的整体效率。最大漏极电流(ID)为 18A,使 K2415-Z-E2-VB 能够处理较大的负载,广泛应用于电源管理、工业控制、和电动机驱动等领域。

### 二、K2415-Z-E2-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装形式**:TO252
- **配置**:单通道 N 型 MOSFET
- **漏源极电压(VDS)**:60V
- **栅源极电压(VGS)**:±20V
- **开启电压(Vth)**:1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
 - VGS = 10V 时:73mΩ
 - VGS = 4.5V 时:85mΩ
- **漏极电流(ID)**:18A
- **技术**:Trench
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C
- **最大功耗**:约 70W(典型)
- **输入电容(Ciss)**:约 1200pF(典型)
- **封装引脚**:
 - 引脚1:源极(Source)
 - 引脚2:漏极(Drain)
 - 引脚3:栅极(Gate)

### 三、K2415-Z-E2-VB 应用领域与模块示例
1. **开关电源**:K2415-Z-E2-VB 适用于各种开关电源(SMPS),其低导通电阻特性能够有效降低能量损耗,提高转换效率,尤其适合用于电脑电源、LED驱动电源和其他消费类电子产品。

2. **电动机驱动**:该 MOSFET 可用于控制直流电动机和步进电动机,非常适合工业自动化、家用电器和电动工具等领域。其最大漏极电流能力(18A)确保其在电动机起动和运行时能够承受瞬时负载。

3. **电池管理系统**:在电池管理系统(BMS)中,K2415-Z-E2-VB 的低导通损耗与高电流处理能力相结合,有助于提高电池充电和放电的效率和安全性,适合用于电动车和可再生能源系统的电池管理。

4. **逆变器和充电器**:K2415-Z-E2-VB 同样在逆变器和充电器中表现出色,其高耐压和低导通电阻使得电能转换效率极高,特别适合于太阳能逆变器和电动汽车充电器等应用。

综上所述,K2415-Z-E2-VB 是一款性能卓越的 N 型 MOSFET,广泛应用于电源管理、电动机驱动和电池管理等多个领域,能够有效满足高电流和低电压应用的需求。

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