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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K2415-Z-E1-AZ-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K2415-Z-E1-AZ-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、K2415-Z-E1-AZ-VB产品简介

K2415-Z-E1-AZ-VB是一款高效能的单N沟道MOSFET,采用TO252封装,专为高电流和中等电压应用而设计。其最大漏源电压(VDS)为60V,适用于各种电子电路和电源管理系统。该器件的阈值电压(Vth)为1.7V,使其在较低的栅源电压下即可有效开启。K2415-Z-E1-AZ-VB的导通电阻(RDS(ON))分别为85mΩ(VGS=4.5V)和73mΩ(VGS=10V),在大电流(最大漏极电流ID为18A)下能保持较低的热损耗,从而提升系统的效率和可靠性。其采用的Trench技术确保了优异的开关性能,满足广泛的应用需求。

### 二、K2415-Z-E1-AZ-VB详细参数说明

- **封装类型**: TO252  
- **沟道配置**: 单N沟道  
- **最大漏源电压(VDS)**: 60V  
- **栅源电压(VGS)**: ±20V  
- **阈值电压(Vth)**: 1.7V  
- **导通电阻(RDS(ON))**: 
 - 85mΩ @ VGS=4.5V  
 - 73mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏极电流(ID)**: 18A  
- **技术**: Trench  

### 三、应用领域与模块举例

1. **DC-DC转换器**  
  K2415-Z-E1-AZ-VB广泛用于DC-DC转换器中,其60V的最大漏源电压和高达18A的电流能力,使其能够高效转换各种电压水平,满足电源管理的需求。其低RDS(ON)确保在转换过程中保持较低的热损耗,提高整体转换效率。

2. **电池管理系统**  
  在电池管理系统中,该MOSFET可以用作电池的开关元件,控制充放电过程。其优异的导通性能和阈值电压,使其能够在不同的工作条件下可靠地工作,确保电池安全、高效地运行。

3. **电动工具与家用电器**  
  K2415-Z-E1-AZ-VB也适用于电动工具和家用电器中,如电动马达控制和加热器控制等应用。其高电流承载能力和快速开关特性能够应对大功率负载的需求,确保设备在各种工作环境中的稳定性和性能。

通过这些应用实例,K2415-Z-E1-AZ-VB在电力电子领域中展现了其高效、可靠的特性,为多种应用提供了理想的解决方案。

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