--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
- ID 70A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### K2329-01STL-E-VB MOSFET 产品简介
K2329-01STL-E-VB 是一款高效能的 **单N沟道** MOSFET,采用 **TO252** 封装,专为低电压、高电流应用设计。这款 MOSFET 的 **漏源电压 (VDS)** 为 30V,适合在低电压环境中使用。其门源电压 (VGS) 额定为 ±20V,提供了良好的安全性和稳定性。阈值电压 (Vth) 为 1.7V,使其在较低的门电压下能够迅速开启。在 VGS=10V 时,**导通电阻 (RDS(ON))** 仅为 7mΩ,极大地降低了导通损耗,使其非常适合高效率应用。该 MOSFET 支持最大漏电流 70A,采用 **Trench** 技术,具备优秀的开关特性和散热性能。
---
### 详细参数说明
- **型号**:K2329-01STL-E-VB
- **封装**:TO252
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:30V
- **门源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**:70A
- **技术**:Trench
- **工作温度**:适用于广泛的温度范围。
---
### 应用领域和模块示例
K2329-01STL-E-VB 适用于多个低电压、高电流的应用场景,以下是一些具体的应用示例:
1. **DC-DC 转换器**:在 DC-DC 转换器中,K2329-01STL-E-VB 能够实现高效率的电能转换,适用于开关电源、降压和升压模块,帮助提高整体系统效率。
2. **电源管理**:该 MOSFET 适合用作电源管理应用中的负载开关,可以在各类消费电子产品中实现高效的功率控制,提升电源系统的性能。
3. **电机驱动**:在电机驱动应用中,K2329-01STL-E-VB 可以用于控制直流电机和步进电机的驱动,提供平稳的启动和高效的运行。
4. **LED 驱动**:该 MOSFET 还可应用于 LED 照明驱动电路,能有效调节电流,从而优化 LED 的亮度和效率。
K2329-01STL-E-VB
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