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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K2250-01S-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K2250-01S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 250V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 640mΩ@VGS=10V
  • ID 4.5A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、K2250-01S-VB 产品简介

K2250-01S-VB 是一款高耐压单N沟道MOSFET,采用TO252封装,专为高电压和中功率应用设计。其最大漏源电压(VDS)高达250V,能够满足工业和电力电子设备中对高电压的要求。该MOSFET的最大漏极电流(ID)为4.5A,门限电压为3V,栅源电压范围为±20V,使其在各种驱动电路中具有良好的适应性。K2250-01S-VB 采用Trench技术,导通电阻(RDS(ON))为640mΩ @ VGS=10V,确保在高电压条件下的高效性能,适用于开关电源和电机控制等领域。

### 二、K2250-01S-VB 详细参数说明

- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 250V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **门限电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 640mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 4.5A
- **技术类型**: Trench
- **最大耗散功率**: 1W (典型值)
- **工作温度范围**: -55°C ~ 150°C
- **输入电容 (Ciss)**: 700pF (典型值)
- **输出电容 (Coss)**: 120pF (典型值)
- **反向恢复时间 (trr)**: 50ns (典型值)

### 三、K2250-01S-VB 应用领域及模块示例

1. **电源转换器**  
  K2250-01S-VB 由于其高耐压特性,广泛应用于开关电源(SMPS)和DC-DC变换器中。它能够有效管理高电压的转换,提升系统的转换效率,确保电源系统的稳定性和可靠性。

2. **工业电机控制**  
  此MOSFET 在工业电机控制中表现优异,适合用于直流电动机和步进电动机的驱动。其高耐压和稳定性使其能够处理工业设备中常见的高电压和电流需求,确保电机在启动和运行过程中的稳定性。

3. **LED驱动器**  
  K2250-01S-VB 也适用于LED照明驱动电路,能够稳定地控制LED的电流,从而确保光源的均匀性和亮度,并有效降低热量产生,提升LED的使用寿命。

4. **高频开关电路**  
  此外,该MOSFET 适合在高频开关电路中使用,能够应对快速切换的需求,广泛应用于通信设备和其他高频电子产品中。

K2250-01S-VB 的高效性能和广泛适用性使其成为高电压和中功率应用中的重要组成部分,满足现代电子设计的多种需求。

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