--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
- ID 18A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### K2231Q-VB MOSFET 产品简介:
K2231Q-VB 是一款高效能的 **单N沟道** MOSFET,采用 **TO252** 封装,适合多种中等电压应用。这款 MOSFET 的 **漏源电压 (VDS)** 可达 60V,适用于对电压有一定要求的场合。其门源电压 (VGS) 额定为 ±20V,确保在工作时的稳定性和安全性。阈值电压 (Vth) 为 1.7V,使得该 MOSFET 能够在较低的门电压下迅速开启。在 VGS=4.5V 时,**导通电阻 (RDS(ON))** 为 85mΩ,而在 VGS=10V 时为 73mΩ,能够有效减少开关损耗,最大漏电流可达 18A。采用 **Trench** 技术,K2231Q-VB 在高频开关应用中表现优越,非常适合用于电源管理和驱动电路。
---
### 详细参数说明:
- **型号**:K2231Q-VB
- **封装**:TO252
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:60V
- **门源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 85mΩ @ VGS=4.5V
- 73mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**:18A
- **技术**:Trench
- **工作温度**:通常在广泛的温度范围内额定。
---
### 应用领域和模块示例:
K2231Q-VB 特别适用于多种中等电压和高效率应用,以下是一些具体应用示例:
1. **DC-DC 转换器**:K2231Q-VB 在 DC-DC 转换器中广泛应用,适合用作开关元件,能够在高效率下实现电压转换,满足电源管理系统的需求。
2. **LED 驱动电路**:该 MOSFET 可用于 LED 驱动应用,通过精确控制 LED 的电流,实现高效的亮度调节,适合用于商业和家庭照明。
3. **电池充电器**:在电池管理系统中,K2231Q-VB 可用于实现高效的充放电控制,提高充电速度和电池使用效率,适合在便携式电子设备中使用。
4. **小型电机驱动**:该 MOSFET 也适用于小型电机控制,如风扇和玩具等,通过高频开关实现精确的电机控制。
凭借其优秀的性能和出色的 Trench 技术,K2231Q-VB 是多种电源管理和驱动电路中的理想选择,能够提高整体系统的效率和可靠性。
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