企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

K2231Q-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K2231Q-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### K2231Q-VB MOSFET 产品简介:

K2231Q-VB 是一款高效能的 **单N沟道** MOSFET,采用 **TO252** 封装,适合多种中等电压应用。这款 MOSFET 的 **漏源电压 (VDS)** 可达 60V,适用于对电压有一定要求的场合。其门源电压 (VGS) 额定为 ±20V,确保在工作时的稳定性和安全性。阈值电压 (Vth) 为 1.7V,使得该 MOSFET 能够在较低的门电压下迅速开启。在 VGS=4.5V 时,**导通电阻 (RDS(ON))** 为 85mΩ,而在 VGS=10V 时为 73mΩ,能够有效减少开关损耗,最大漏电流可达 18A。采用 **Trench** 技术,K2231Q-VB 在高频开关应用中表现优越,非常适合用于电源管理和驱动电路。

---

### 详细参数说明:

- **型号**:K2231Q-VB
- **封装**:TO252
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:60V
- **门源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 85mΩ @ VGS=4.5V
 - 73mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**:18A
- **技术**:Trench
- **工作温度**:通常在广泛的温度范围内额定。

---

### 应用领域和模块示例:

K2231Q-VB 特别适用于多种中等电压和高效率应用,以下是一些具体应用示例:

1. **DC-DC 转换器**:K2231Q-VB 在 DC-DC 转换器中广泛应用,适合用作开关元件,能够在高效率下实现电压转换,满足电源管理系统的需求。

2. **LED 驱动电路**:该 MOSFET 可用于 LED 驱动应用,通过精确控制 LED 的电流,实现高效的亮度调节,适合用于商业和家庭照明。

3. **电池充电器**:在电池管理系统中,K2231Q-VB 可用于实现高效的充放电控制,提高充电速度和电池使用效率,适合在便携式电子设备中使用。

4. **小型电机驱动**:该 MOSFET 也适用于小型电机控制,如风扇和玩具等,通过高频开关实现精确的电机控制。

凭借其优秀的性能和出色的 Trench 技术,K2231Q-VB 是多种电源管理和驱动电路中的理想选择,能够提高整体系统的效率和可靠性。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    131浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    114浏览量