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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K2084S-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K2084S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

**一、产品简介:**

K2084S-VB 是一款 TO252 封装的 N 沟道功率 MOSFET,专为低电压和高电流应用设计。其漏源电压 (VDS) 为 30V,栅源电压 (VGS) 可承受 ±20V 的电压变化,启用电压 (Vth) 为 1.7V。该 MOSFET 采用先进的沟槽技术,具有极低的导通电阻 (RDS(ON)),在 VGS=4.5V 时为 9mΩ,VGS=10V 时为 7mΩ,最大连续漏极电流为 70A。这使得 K2084S-VB 在高效率电源管理和开关应用中表现出色,适合用于要求高电流处理能力的电子设备。

**二、详细参数说明:**

- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **开启电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 70A
- **技术类型**: 沟槽技术
- **工作温度范围**: -55°C ~ 150°C
- **最大功耗**: 62.5W(在适当的散热条件下)

**三、适用领域和模块举例:**

1. **DC-DC 转换器**: K2084S-VB 由于其低导通电阻和高电流能力,广泛应用于 DC-DC 转换器中,特别是在高效能的开关电源设计中,帮助提高能量转换效率,降低功耗。

2. **电动工具**: 在电动工具及设备中,该 MOSFET 可用作高效的功率开关,支持高达 70A 的电流,满足各种负载条件下的启动和运行需求,确保设备在高负载情况下依然能够稳定工作。

3. **电机驱动**: K2084S-VB 也非常适合用于电机控制和驱动电路,尤其在需要频繁开关和高电流处理的场合,能够确保电机在启动、停止和调速过程中的平稳运行。

4. **LED 驱动器**: 在 LED 照明应用中,此 MOSFET 可以用作 LED 驱动电路中的开关元件,控制电源输入,提供稳定和高效的 LED 驱动,尤其适合高亮度 LED 应用场景。

综上所述,K2084S-VB 的低电压、低导通电阻和高电流特性,使其成为多个高效能电源管理和开关应用中的关键组件。

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