### K1920-VB 产品简介
K1920-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为中等电压应用而设计。其最大漏极-源极电压（VDS）为250V，适合需要中高电压和高电流处理的应用场合。该MOSFET的导通电阻（RDS(ON)）在VGS=10V时为176mΩ，能够有效降低开关损耗，从而提高系统的能效。最大漏极电流（ID）为17A，使其在各种应用中表现出良好的性能和稳定性，特别适合高效率电源管理和电机驱动系统。
### K1920-VB 详细参数说明
- **封装**：TO252
- **配置**：单N沟道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**：250V
- **栅极-源极电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：176mΩ（VGS=10V时）
- **最大漏极电流 (ID)**：17A
- **技术类型**：Trench（沟槽技术）
### 应用领域和模块示例
1. **开关电源（SMPS）**：
K1920-VB非常适合在开关电源模块中使用，尤其是用于AC-DC转换器和DC-DC转换器。其低导通电阻和高电流处理能力能够有效提高电源效率，减少能量损耗，适合高功率电源解决方案。
2. **电机控制**：
该MOSFET在电机驱动应用中表现出色，可以用于工业电机控制系统。其能够承受的电流和电压特性使其在控制电机启动和调速时保持高效率，有助于提升电机的运行性能。
3. **LED驱动器**：
K1920-VB同样适用于LED驱动电路，特别是在需要高电流驱动的高功率LED应用中。其良好的导通性能可以确保LED在运行过程中获得稳定的电流，增强亮度和延长使用寿命。
4. **高频开关应用**：
由于其优异的开关性能，K1920-VB可以用于高频开关应用，如无线充电器和各种RF（射频）设备。在这些应用中，MOSFET的快速开关能力能够减少开关损耗，提高整体能效。
综上所述，K1920-VB以其高电流和高压能力，适用于多种中等电压应用领域，包括电源管理、电机控制和LED驱动等。其卓越的性能和高效能为现代电子设计提供了可靠的解决方案。
