### K1748-Z-E1-VB 产品简介
K1748-Z-E1-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET，采用 TO252 封装，专为高效率和低功耗应用设计。该器件具有最大漏源电压 (VDS) 为 60V，非常适合用于中等电压的电源管理和开关应用。其阈值电压 (Vth) 为 1.7V，使其在较低的门电压下即可开启，从而提升了系统的响应速度。在 VGS 为 10V 时，导通电阻 (RDS(ON)) 为 73mΩ，能够承载高达 18A 的漏电流 (ID)，从而在高负载条件下实现出色的性能。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: Single-N-Channel
- **VDS**: 60V
- **VGS**: ±20V
- **Vth**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 73mΩ @ VGS = 10V
- **RDS(ON)**: 85mΩ @ VGS = 4.5V
- **ID**: 18A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
K1748-Z-E1-VB 在多个领域中具有广泛的应用潜力，尤其是在消费电子和工业设备中。在电源管理方面，该 MOSFET 非常适合用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器以及电源适配器。这些应用要求高效的能量转换和低的功耗，以提高整体系统效率。
在家用电器如电机控制、灯光调节和电池管理系统中，K1748-Z-E1-VB 的低导通电阻和高漏电流承载能力使其能够实现高效的电力控制。其较低的阈值电压也使得其能够在较低的控制电压下工作，从而简化电路设计并提高响应速度。
此外，该 MOSFET 还可应用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、电源分配和LED驱动等领域，提供可靠的性能和高效的电源管理。凭借其优秀的电气特性，K1748-Z-E1-VB 是现代高性能电子设备中理想的选择。
