### 产品简介
K1717-VB是一款高性能的单N通道MOSFET，采用TO252封装，专为中等电压应用设计。其最大漏源电压（VDS）为60V，能够有效处理多种负载条件。该MOSFET的最大漏电流（ID）为18A，确保在高功率情况下的稳定性。K1717-VB在不同栅极电压下的导通电阻（RDS(ON)）表现出色：在4.5V时为85mΩ，而在10V时为73mΩ。这使其在开关损耗和热管理方面具备良好的表现，适合高频开关应用。该器件采用Trench技术，提供更低的导通损耗和更高的效率，广泛应用于多种电子产品和电源管理系统中。
### 详细参数说明
- **型号**：K1717-VB
- **封装**：TO252
- **配置**：Single-N-Channel
- **VDS**：60V
- **VGS**：±20V
- **Vth**：1.7V
- **RDS(ON)**：
- 85mΩ（@VGS=4.5V）
- 73mΩ（@VGS=10V）
- **ID**：18A
- **技术**：Trench
### 适用领域和模块
K1717-VB适用于多种领域，特别是在电源管理和电动设备控制中表现突出。在便携式设备和消费电子产品中，如手机充电器和电池管理系统，该MOSFET能够高效控制电流流动，提升能效和续航能力。此外，在电机驱动和工业自动化设备中，K1717-VB作为开关元件，能有效管理电动机的启动和运行，提高系统的可靠性。在汽车电子领域，这款MOSFET也被广泛应用于电源转换和分配，确保电力系统的稳定性和安全性。总之，K1717-VB凭借其卓越的性能和适用性，成为现代电子应用中的重要组件。
