--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 900V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2700mΩ@VGS=10V
- ID 2A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
K1528-VB是一款高压N通道MOSFET,采用TO252封装,专为高电压和低功耗应用设计。该器件的最大漏源电压(VDS)高达900V,适用于要求严苛的电源管理和开关应用。其漏电流(ID)可达到2A,并在10V的栅极电压(VGS)下具有2700mΩ的导通电阻(RDS(ON)),确保在高压操作中实现稳定和高效的性能,适合各种工业和消费类电子设备。
### 详细参数说明
- **型号**:K1528-VB
- **封装**:TO252
- **配置**:Single-N-Channel
- **VDS**:900V
- **VGS**:±30V
- **Vth**:3.5V
- **RDS(ON)**:2700mΩ(@VGS=10V)
- **ID**:2A
- **技术**:SJ_Multi-EPI
### 适用领域和模块
K1528-VB广泛应用于高压电源管理和转换器设计中,特别适合用于电源适配器、照明驱动和开关电源(SMPS)。在工业自动化和控制系统中,该MOSFET能在高电压下保持稳定的工作性能。由于其高压能力,K1528-VB还被用于可再生能源系统,如太阳能逆变器和风能转换系统,确保在复杂和极端环境下的可靠性。此外,其优秀的导通性能使其在各种电子设备中的电机控制和驱动模块中也得到了广泛应用,为各种应用提供了高效的解决方案。
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