### 产品简介
K1474-VB是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为中等电压应用而设计。其漏源电压（VDS）为100V，栅源电压（VGS）范围为±20V，适合多种电源管理和开关应用。该器件的阈值电压（Vth）为1.8V，具有较低的导通电阻（RDS(ON)为114mΩ@VGS=10V），在高电流条件下表现优异，能有效降低功耗。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 114mΩ@VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**: 15A
- **技术**: Trench
### 应用领域与模块
K1474-VB广泛应用于电源管理、开关电源和电动机控制等领域。其较低的导通电阻和较高的漏电流能力使其特别适合于高效能的DC-DC转换器和线性稳压器。在消费电子、汽车电子和工业设备中，K1474-VB可用于电池管理系统、LED驱动和智能电源模块中，有效提升整体系统的性能与效率。此外，在可再生能源系统和高频开关电路中，K1474-VB也能提供稳定的功率控制和出色的热管理。
