--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
- ID 18A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### K1472-VB 产品简介
K1472-VB 是一款高效的单N通道MOSFET,采用TO252封装,专为中低电压应用而设计。该器件的额定漏源电压(VDS)为60V,使其能够在多种电源管理和驱动应用中使用。K1472-VB 的导通电阻(RDS(ON))在栅源电压(VGS)为4.5V时为85mΩ,在10V时为73mΩ,这意味着它在工作时可以有效降低功耗和发热,从而提高整体效率。它的最大漏电流(ID)为18A,使得该器件适合用于高性能的电源转换、驱动和控制应用。
### K1472-VB 详细参数说明
- **型号**:K1472-VB
- **封装**:TO252
- **配置**:单N通道
- **额定漏源电压 (VDS)**:60V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 85mΩ @ VGS=4.5V
- 73mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**:18A
- **技术**:Trench
### 应用领域及模块举例
K1472-VB 在多个领域和模块中具有广泛的应用,以下是几个典型示例:
1. **开关电源(SMPS)**:K1472-VB 非常适合用于开关电源中,提供高效的功率转换。这种设计能够确保在不同负载条件下,电源的效率保持在较高水平,适用于家用电器、计算机电源等。
2. **电动机驱动**:在电动机控制应用中,K1472-VB 可以用作高效的开关器件。其18A的漏电流能够满足小型电动机的启动和运行要求,适用于自动化设备和电动工具等。
3. **LED照明**:该MOSFET 适用于LED驱动电路,作为开关元件在不同亮度需求下提供稳定的电流,确保LED灯具的高效能和长寿命,广泛应用于住宅和商业照明。
4. **电源管理系统**:在各种电源管理模块中,K1472-VB 可用于电源开关和负载调节,帮助实现更高的系统效率和更小的热损耗,适用于工业控制和消费电子产品。
这些应用示例展示了 K1472-VB 在现代电力电子设备中的重要作用,特别是在要求高效率和低功耗的应用场景中。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12