--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
- ID 18A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
K1471-VB是一款高性能N通道MOSFET,采用TO252封装,专为高效电源管理和开关应用而设计。其最大漏源电压(VDS)为60V,最大漏电流(ID)可达到18A,适用于高频和高电流的工作环境。该器件在4.5V栅极电压(VGS)下具有85mΩ的导通电阻(RDS(ON)),在10V时更低至73mΩ,这使得K1471-VB在开关操作中具有极低的功耗和高效的性能,能够满足现代电源管理系统的严格要求。
### 详细参数说明
- **型号**:K1471-VB
- **封装**:TO252
- **配置**:Single-N-Channel
- **VDS**:60V
- **VGS**:±20V
- **Vth**:1.7V
- **RDS(ON)**:85mΩ(@VGS=4.5V)
- **RDS(ON)**:73mΩ(@VGS=10V)
- **ID**:18A
- **技术**:Trench
### 适用领域和模块
K1471-VB广泛应用于多个领域,特别是在高效电源管理和转换器中。它非常适合用于DC-DC转换器和开关电源(SMPS),在这些应用中,低导通电阻可显著降低能量损失和热量产生。此外,该器件在电动汽车充电器、LED驱动电路和工业电机控制系统中也有重要应用,能够在高频开关下保持稳定的性能。由于其良好的热性能和高效能,K1471-VB是现代电子设备中不可或缺的关键组件之一。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12