--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
- ID 70A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### K1468-VB 产品简介
K1468-VB 是一款高效的单N通道MOSFET,封装采用TO252,专为低电压高电流应用设计。其最大漏源电压(VDS)为30V,适合多种电源管理和开关应用。该器件的阈值电压(Vth)为1.7V,确保在低栅电压下顺利开启。K1468-VB采用Trench技术,提供极低的导通电阻(RDS(ON))为9mΩ(在4.5V栅电压下)和7mΩ(在10V栅电压下),能够支持高达70A的最大漏电流(ID),显著提高系统效率。
### 详细参数说明
- **型号**: K1468-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N通道
- **最大漏源电压(VDS)**: 30V
- **最大栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**: 9mΩ @ VGS=4.5V;7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流(ID)**: 70A
- **技术**: Trench
### 应用领域与模块示例
K1468-VB在多个领域中具有广泛的应用潜力,主要包括:
1. **电源管理**: 该MOSFET适合用于高效的直流-直流转换器(DC-DC converters),能够优化电能转换,提高整体效率。
2. **电动工具**: 在电动工具的电机驱动中,K1468-VB能够处理高电流,提供稳定的功率输出,确保设备在高负载下正常运行。
3. **汽车电子**: 在汽车电源分配系统中,K1468-VB可作为电源开关,支持高效的电力调节,提升电动汽车的能效。
4. **消费电子**: 在各类消费电子产品(如充电器和LED驱动器)中,该器件能够实现高效能的功率管理,改善产品性能和用户体验。
通过以上参数和应用示例,K1468-VB展现了其在低电压高电流应用中的理想特性,成为现代电子设计中的重要选择。
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