### K13P25D-VB 产品简介
K13P25D-VB是一款高效能N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为中压应用设计。它具备250V的漏极-源极电压能力和17A的最大漏极电流，适用于各种电源管理和开关电路。其低导通电阻（RDS(ON) 176mΩ@VGS=10V）使其在高频率和高效能应用中表现优异，能够有效降低功耗，提高系统的整体效率。
### K13P25D-VB 详细参数说明
- **封装**：TO252
- **配置**：单N沟道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**：250V
- **栅极-源极电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：176mΩ (在VGS=10V时)
- **最大漏极电流 (ID)**：17A
- **技术类型**：Trench技术
### 应用领域和模块示例
1. **开关电源（SMPS）**：
K13P25D-VB适合用于开关电源中，能够处理中压条件下的高功率转换，提升电源效率和稳定性，广泛应用于消费电子产品。
2. **LED驱动器**：
在LED照明系统中，该MOSFET可用于驱动电路，确保在高频开关操作中保持高效能和低热量输出，从而延长LED的使用寿命。
3. **电机控制**：
K13P25D-VB可以用于电机驱动应用，支持高电流的驱动需求，确保在复杂负载条件下稳定运行。
4. **电池管理系统**：
在电池管理应用中，该MOSFET能够有效控制充电和放电过程，提升电池的性能和安全性。
通过这些应用，K13P25D-VB展示了其在中压电力电子设备中的重要性，为多个行业提供了理想的解决方案。
