--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 200V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### K1335STL-E-VB 产品简介
K1335STL-E-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,采用TO252封装,具有优良的电流承载能力和高压耐受能力,适合用于各种电源管理和开关应用。这款MOSFET在高电压和高电流的环境下工作稳定,能够有效地降低功耗,提升系统的整体效率。其优异的RDS(ON)特性使其在快速开关操作时表现出色,广泛应用于工业控制、消费电子和汽车电子等领域。
### K1335STL-E-VB 详细参数说明
- **封装**:TO252
- **配置**:单N沟道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**:200V
- **栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:245mΩ (在VGS=10V时)
- **最大漏极电流 (ID)**:10A
- **技术类型**:Trench技术
### 应用领域和模块示例
1. **电源管理**:
K1335STL-E-VB广泛应用于开关电源(SMPS)中,作为开关元件,可以提高转换效率并减少能量损耗。其高VDS和ID特性使其适合用于高压和高电流的电源电路。
2. **电动汽车**:
在电动汽车中,K1335STL-E-VB可用于电池管理系统(BMS),帮助在电池充放电过程中有效控制电流,确保系统的安全性和稳定性。
3. **工业控制**:
该MOSFET可以用于工业自动化设备中的电机驱动和负载控制,能够承受较高的电压和电流,为复杂的控制系统提供稳定的性能。
4. **消费电子**:
K1335STL-E-VB在各类消费电子产品中(如LED驱动器和便携式设备)也有应用,确保设备在长时间使用中的高效和稳定运行。
通过上述特点和应用,K1335STL-E-VB展示了其作为高效能MOSFET在多种行业中的重要性。
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