### K1316-VB 产品简介
K1316-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET，具有 650V 的漏源电压 (VDS) 和 7A 的最大漏电流 (ID)。其阈值电压 (Vth) 为 3.5V，确保其在高电压环境中稳定工作。采用 SJ_Multi-EPI 技术，K1316-VB 具有较低的导通电阻 (RDS(ON)) 为 700mΩ，特别适合用于高效能电源管理和开关应用。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: Single-N-Channel
- **VDS**: 650V
- **VGS**: ±30V
- **Vth**: 3.5V
- **RDS(ON)**: 700mΩ @ VGS = 10V
- **ID**: 7A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块
K1316-VB 广泛应用于电源转换器、逆变器、太阳能逆变器和电动车驱动系统中。在这些领域中，它的高电压和低导通电阻特性使其能够有效管理能量损耗，提高系统效率。此外，它还适用于高压开关和电源适配器等应用，确保可靠的操作和性能。
