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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K1299-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K1299-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### K1299-VB 产品简介

K1299-VB 是一款采用 TO252 封装的高效单 N 沟道 MOSFET,设计用于处理中等电压和较高电流的电路应用。其最大漏源电压 (VDS) 为 100V,栅源电压 (VGS) 最高可达 ±20V,栅极门限电压 (Vth) 低至 1.8V,能够在较低的栅极驱动下快速响应。该 MOSFET 的导通电阻 (RDS(ON)) 为 114mΩ(在 VGS = 10V 时),支持高达 15A 的电流。凭借 Trench 技术,K1299-VB 提供优异的导电性能和热管理能力,适合开关电源、电机驱动等需要高效率和稳定性的应用场景。

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### 详细参数说明

- **型号**: K1299-VB  
- **封装**: TO252  
- **配置**: 单 N 沟道 MOSFET  
- **漏源电压 (VDS)**: 100V  
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V  
- **门限电压 (Vth)**: 1.8V  
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 
 - 114mΩ @ VGS=10V  
- **漏极电流 (ID)**: 15A  
- **技术类型**: Trench  
- **最大功耗 (PD)**: 42W  
- **热阻 (RθJC)**: 3.0°C/W  
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C  

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### 应用领域与模块说明

1. **开关电源 (SMPS)**: K1299-VB 非常适合用于开关电源模块中,在通信设备、电源适配器等中能够高效地实现电压转换并提供稳定的功率输出。其高电压和电流能力使其在电力电子转换中表现出色。

2. **电机驱动**: 该 MOSFET 能够驱动直流和步进电机,广泛应用于工业自动化设备、机器人、家电中的电机控制系统,保证电机运行的效率和可靠性。

3. **逆变器和变频器**: K1299-VB 适合用于太阳能、风能等可再生能源应用的逆变器电路,通过其高效的电流处理能力,有助于提升能源转换效率。

4. **LED 驱动器**: 在高功率 LED 照明系统中,K1299-VB 可用作驱动电路的一部分,有助于提供稳定的电流输出,提高照明的效率和寿命。

5. **电池管理系统**: 该器件在电池管理系统中表现优异,尤其适合于电动工具、便携式设备等需要精确控制电池电压和电流的场合,确保电池安全高效地充放电。

6. **汽车电子**: K1299-VB 能够应用于汽车电子控制单元中,如汽车电源管理、灯光系统等,为车辆的电力电子设备提供高效的功率开关功能。

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