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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K1299S-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K1299S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、产品简介

K1299S-VB 是一款高性能单 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为中等电压和高效能应用设计。其漏源电压 (VDS) 高达 100V,能够在多种工作条件下提供可靠的性能。最大栅源电压 (VGS) 为 ±20V,阈值电压 (Vth) 为 1.8V,确保器件在较低的控制电压下快速导通。K1299S-VB 的导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS 为 10V 时仅为 114mΩ,表明其具备极低的导通损耗,非常适合高频开关应用。该器件的最大漏极电流 (ID) 为 15A,能够有效满足大功率应用的需求。利用 Trench 技术,该 MOSFET 兼具高效率和高稳定性,适合广泛的电源转换和开关电路。

### 二、详细参数说明

- **封装类型**:TO252  
- **配置**:单 N 通道  
- **漏源电压 (VDS)**:100V  
- **栅源电压 (VGS)**:±20V  
- **阈值电压 (Vth)**:1.8V  
- **导通电阻 (RDS(ON))**:114mΩ @ VGS = 10V  
- **漏极电流 (ID)**:15A  
- **技术**:Trench  

### 三、适用领域和模块示例

1. **开关电源 (SMPS)**:K1299S-VB 可作为开关模式电源 (SMPS) 的关键开关元件,因其低导通损耗和高效率,特别适用于需要高功率转换效率的工业和消费电子产品,如笔记本电脑和电视机电源。

2. **DC-DC 转换器**:在各类 DC-DC 转换器中,K1299S-VB 的高电流承载能力和低 RDS(ON) 特性使其成为理想选择,适用于电动工具、通信设备和汽车电源管理系统,帮助实现高效能的电源转换。

3. **电池管理系统 (BMS)**:在电池管理应用中,K1299S-VB 可用于控制电池的充电和放电过程。其高效率和可靠性使其适合用于电动汽车、储能系统和便携式电子设备的电池管理模块,确保安全和稳定的电池性能。

4. **电机驱动器**:该 MOSFET 可以用于小型电机的驱动电路,适用于机器人、家用电器和电动工具等领域,确保高效电机控制并降低能量损耗。

5. **LED 驱动电路**:在 LED 照明系统中,K1299S-VB 可作为主开关元件,提供高效的电流控制,适用于各类照明应用,如室内灯具和汽车照明,帮助实现优质照明效果与节能。

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