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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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K1299STL-E-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: K1299STL-E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

**一、产品简介:**

K1299S-VB 是一款 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封装,设计用于中等电压和高效率应用。该器件的最大漏源电压 (VDS) 为 100V,支持宽范围的输入电压工作。其最大栅源电压 (VGS) 为 ±20V,适应性强,阈值电压 (Vth) 为 1.8V,确保了器件在较低电压下的快速导通性能。该 MOSFET 的导通电阻 (RDS(ON)) 为 114mΩ(在 VGS 为 10V 时),具备较低的导通损耗,支持 15A 的最大漏极电流 (ID)。采用 Trench 技术,该产品在高频操作下能提供高效、可靠的性能,适用于多种功率转换和开关电路。

**二、详细参数说明:**

- **封装类型**:TO252  
- **配置**:单 N 通道  
- **漏源电压 (VDS)**:100V  
- **栅源电压 (VGS)**:±20V  
- **阈值电压 (Vth)**:1.8V  
- **导通电阻 (RDS(ON))**:114mΩ @ VGS = 10V  
- **漏极电流 (ID)**:15A  
- **技术**:Trench  

**三、适用领域和模块举例:**

1. **开关电源 (SMPS)**:K1299S-VB 适用于开关模式电源 (SMPS) 的主开关元件。由于其在中等电压下具备高效率和较低的导通损耗,能够提高电源转换效率,广泛应用于工业、通信和消费电子中的电源管理。

2. **DC-DC 转换器**:这款 MOSFET 可用于降压和升压型 DC-DC 转换器中。其高电流承载能力和低导通电阻,使其适用于对能效和可靠性有较高要求的应用,如便携式设备的电源管理。

3. **电池管理系统 (BMS)**:在电池管理应用中,K1299S-VB 可以有效地控制充放电过程,提供高效且安全的电流控制。适用于电动汽车、储能设备和便携式电子设备中的电池管理模块。

4. **电机驱动器**:该 MOSFET 可用于控制小型至中型电机的驱动电路,适用于机器人、电动工具和家用电器等领域。其低导通损耗可以在降低功耗的同时确保稳定的电机运行。

5. **照明控制电路**:在 LED 驱动电路中,K1299S-VB 可作为主开关元件使用,提供高效的电流控制和转换,适合用于各类 LED 照明系统,如室内照明和汽车照明。

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