### 产品简介
K1284-Z-VB是一款高效能的单N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为低电压、高电流应用设计。其最大漏源电压（VDS）为100V，最大栅源电压（VGS）为±20V，具有快速开启和低导通损耗的特点。阈值电压（Vth）为1.8V，能够在较低的栅源电压下迅速启动。K1284-Z-VB的导通电阻（RDS(ON)）在VGS为10V时为114mΩ，支持最大漏电流（ID）达到15A，适用于各种功率转换和电源管理应用。
### 详细参数说明
- **产品型号**: K1284-Z-VB
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 100V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: 15A
- **技术类型**: Trench
### 应用领域和模块
K1284-Z-VB MOSFET广泛应用于多个领域，具体包括：
1. **电源管理系统**: 由于其出色的开关特性和低导通电阻，K1284-Z-VB被广泛应用于DC-DC转换器中，确保高效率的电能转换，减少能量损耗。
2. **电动工具**: 该MOSFET能够在电动工具的驱动电路中有效控制电流，确保工具在高负载条件下的稳定运行，延长设备的使用寿命。
3. **汽车电子**: K1284-Z-VB适合用于汽车电源管理系统中，如LED照明、动力控制等，提供高效的电流管理，提升整车电气系统的性能。
4. **消费电子产品**: 在智能手机、平板电脑等消费电子产品中，K1284-Z-VB能够用于高效的电源开关，支持快速充电和高效能量管理。
通过这些应用，K1284-Z-VB不仅提升了设备的性能，还保证了在不同工作条件下的稳定性和可靠性。
