### K1284-Z-E2-VB MOSFET产品简介
K1284-Z-E2-VB是一款高性能N沟道MOSFET，封装类型为TO252，专为中等电压应用而设计。其最大漏源极电压（VDS）为100V，适用于多种栅极驱动配置，具有±20V的栅极电压（VGS）范围。阈值电压（Vth）为1.8V，确保在低电压驱动下也能快速导通。K1284-Z-E2-VB的导通电阻（RDS(ON)）为114mΩ（在VGS为10V时），可以在高电流环境中实现低功耗运行。该产品采用Trench技术，具备良好的热性能和电气特性，广泛应用于电源管理、电动机驱动和其他电子设备。
### K1284-Z-E2-VB详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单N沟道MOSFET
- **漏源极电压 (VDS)**: 100V
- **栅极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 15A
- **技术**: Trench
### K1284-Z-E2-VB应用领域及模块举例
1. **电源管理**: K1284-Z-E2-VB非常适合用于电源管理模块，特别是在DC-DC变换器中，作为开关元件能够有效提高转换效率并降低能量损耗。
2. **电动机驱动**: 该MOSFET在电动机控制应用中表现优异，可用于电动工具、家电及电动汽车中的电动机驱动，提供可靠的开关控制和效率。
3. **LED驱动**: K1284-Z-E2-VB可应用于LED驱动电路，确保LED照明系统的稳定性和一致性，同时降低电源损耗，提高整体系统效率。
4. **开关电源**: 由于其低导通电阻，K1284-Z-E2-VB适合用于开关电源（SMPS），如适配器和电源转换器，可以满足高效电源解决方案的需求。
5. **汽车电子**: 在汽车电子系统中，该MOSFET可用于电动窗、座椅调节等功能，能够提供高效和可靠的性能，提升汽车的电子控制系统。
通过其优异的电气特性和广泛的应用范围，K1284-Z-E2-VB MOSFET为现代电源管理和驱动控制提供了高效可靠的解决方案。
