--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
- ID 18A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**一、产品简介:**
K1282-Z-E2-VB 是一款高效的 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为中低压应用而设计。该器件的最大漏源电压 (VDS) 为 60V,使其非常适合用于各类电源管理和开关电路。最大栅源电压 (VGS) 为 ±20V,能够满足多种驱动需求。其阈值电压 (Vth) 为 1.7V,确保在低电压下快速导通,优化了系统启动时间。K1282-Z-E2-VB 的导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS 为 10V 时为 73mΩ,在 4.5V 时为 85mΩ,具有良好的导电性能和较低的导通损耗,适合高频开关应用。采用 Trench 技术,该 MOSFET 在高温和高频条件下具有卓越的性能和稳定性。
**二、详细参数说明:**
- **封装类型**:TO252
- **配置**:单 N 通道
- **漏源电压 (VDS)**:60V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 85mΩ @ VGS = 4.5V
- 73mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:18A
- **技术**:Trench
**三、适用领域和模块举例:**
1. **电源转换器**:K1282-Z-E2-VB 可广泛用于 DC-DC 转换器和开关电源,能够有效调节输出电压,确保高效能的电源管理,适合于电子设备、计算机电源等应用。
2. **电机驱动**:该 MOSFET 适合用于电机控制电路,能够提供高效、稳定的电流,适用于电动工具、家用电器及工业自动化设备,确保电机在各种负载条件下的平稳运行。
3. **LED 照明**:K1282-Z-E2-VB 可作为 LED 驱动电路中的开关元件,具有低导通损耗,适合于各种照明应用,如室内照明和景观照明,能够提升 LED 的亮度与效率。
4. **汽车电子**:在汽车电子领域,该 MOSFET 可用于电池管理系统和各种电源控制模块,适合于电动汽车、混合动力车及其他汽车电子产品,提供高效、可靠的电源供应。
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